metal gate製程
我們發現對元件的High-K-Metalgate界面作CF4電漿處理,並在製程中施加較低溫的PMA,可得到功函數較高的元件。CF4電漿處理能提升金屬閘極元件的功函數,需注意的是,當 ...,2007年12月24日—而其中已導入的high-k/metalgate材料製程,可以控制金屬氧化物半導體場效電...
28奈米製程
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...製程技術以採用高介電層/金屬閘極(High-kMetalGate,HKMG)的後閘極(Gate-last)技術為主。相較於前閘極(Gate-first)技術,後閘極技術具備較低的漏電流以及能 ...
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